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STGF19NC60HD中文资料

STGF19NC60HD图片

STGF19NC60HD外观图

  • 大小:274.5KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: IGBT, N 600V 9A TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:35W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:9A; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Max:32W; Power Dissipation Pd:35W; Pulsed Current Icm:40A; Rise Time:7ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
  • 其它有关文件:STGF19NC60HD View All Specifications
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:PowerMESH™
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,12A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):16A
  • 功率 - 最大:32W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220FP
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-5740

STGF19NC60HD供应商

更新时间:2023-01-17 08:44:48
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